0371-5536 5392 0371-5519 9322
○ 產(chǎn)品介紹
TN-MSP500S-DCRF-B 靶下置型雙靶磁控 為我公司研發(fā)的配有兩個(gè)靶位的實(shí)驗(yàn)室專用鍍膜儀，采用靶下置布局，樣品臺(tái)在上方，與靶面高度可通過程序可調(diào)，并且可旋轉(zhuǎn)加熱，性能優(yōu)異。設(shè)備配有一臺(tái)直流電源，一臺(tái)射頻電源，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。
磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點(diǎn)，鍍膜速率高，樣品溫升低，是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層，水冷機(jī)能夠有效的帶走熱量，避免熱量在靶面聚集，使磁控鍍膜能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
○ 適用范圍
可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。
○ 產(chǎn)品特點(diǎn)
1：靶下置布局，樣品臺(tái)在上方，與靶面高度可通過程序可調(diào)，并且可旋轉(zhuǎn)加熱。
2：直流電源和射頻雙電源可以制備多種不同材料的薄膜，應(yīng)用廣泛。
3：磁控靶配有水冷夾層，水冷機(jī)有效的帶走熱量，避免熱量聚集
○ 技術(shù)參數(shù)
供電電壓
AC220V,50Hz
整機(jī)功率
6KW
極限真空
5*10-4Pa
樣品臺(tái)尺寸
φ150mm
樣品臺(tái)加熱
≤500℃
樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速
1-20rpm
磁控濺射頭規(guī)格
2"
磁控濺射頭冷卻方式
10L/民 循環(huán)水冷機(jī)
真空腔體尺寸
φ500mm*490mmH
腔體材料
不銹鋼
觀察窗
φ100mm
腔體開啟方式
前開門式
氣體流量控制器
1路200sccm Ar
真空泵
一套分子泵系統(tǒng)，抽速600L/S
膜厚儀
石英振動(dòng)薄膜測(cè)厚儀一臺(tái)，分辨率0.10 ?
射電源
直流電源1臺(tái)，500W，適用于制備金屬膜
射頻電源1臺(tái)，500W，適用于非金屬鍍膜
操作方式
一體機(jī)電腦操作
規(guī)格
整機(jī)尺寸 1090mm X 900mm X 1250mm
整機(jī)重量 350kg
○ 免責(zé)聲明
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等），僅供參考。泰諾公司產(chǎn)品在不斷更新，網(wǎng)站內(nèi)容可能由于更新不及時(shí)，或許導(dǎo)致所述內(nèi)容與實(shí)際情況存在一定的差異，請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系確認(rèn)。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，泰諾公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知。
